正答2
解説
正解は2です。
この問題は、相変化メモリ（PCM：Phase Change Memory）の特徴を問うています。
相変化メモリは、カルコゲナイド合金などの材料を、電気抵抗が低い結晶状態と、電気抵抗が高い非結晶（アモルファス）状態の間で変化させて情報を記憶します。
【選択肢別解説】
1：× 一度だけ書き込める不揮発性メモリは、ワンタイムPROM（Programmable ROM）などの説明です。
相変化メモリは電流による加熱で状態を何度も書き換えられます。
2：○ 相変化メモリは、結晶状態と非結晶状態の抵抗値の違いを0と1に対応させて記憶します。
どちらの状態も電源を切っても保たれるため、不揮発性メモリに分類されます。
3：× フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリは、SRAM（Static RAM）の説明です。
高速なのでキャッシュメモリに使われます。
4：× リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリは、DRAM（Dynamic RAM）の説明です。
コンデンサに蓄えた電荷が時間とともに失われるため、定期的な再書込みが必要です。
【ポイント】
相変化メモリは書換え可能な不揮発性メモリで、次世代メモリの一つとして注目されています。
同じく不揮発の次世代メモリには、磁気を使うMRAM（Magnetoresistive RAM）や、抵抗変化を使うReRAM（Resistive RAM）もあります。