ホーム › 応用情報技術者試験 › 平成30年度 秋期 › 問10平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 問10テクノロジ系テクノロジ系2018年☆ ブックマーク相変化メモリの説明として,適切なものはどれか。一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリフリップフロップ回路で構成された揮発性メモリリフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ購入状況を確認しています…正答2解説正解はイ。 相変化メモリ(PCM)は,カルコゲナイド材料などの結晶状態と非結晶状態で電気抵抗が異なる性質を利用して情報を記憶する不揮発性メモリである。 電源を切っても内容が保持される点でDRAMなどの揮発性メモリと異なる。← 問9問11 →まとめて解く平成30年度 秋期を通しで解く(80問)→この回の他の問題平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 の全80問を見る →