修了試験 2023-01-22実施分 基本情報技術者試験 問21

解説

正解はエ。 フラッシュメモリはブロック単位で電気的にデータを消去・書換えできる不揮発性メモリである。 紫外線消去はEPROM，リフレッシュが必要なのはDRAM，高速書換えでキャッシュに使うのはSRAMの特徴である。