修了試験 2021-07-25実施分 基本情報技術者試験 問21

解説

正解はエ。 フラッシュメモリはブロック(セクタ)単位で電気的に一括消去・再書込みができる不揮発性メモリである。 高速書換えでキャッシュに使うのはSRAM，紫外線消去はUV-EPROM，周期的再書込みが必要なのはDRAMの特徴。