修了試験 2020-06-14実施分 基本情報技術者試験 問20

解説

正解は2です。 DRAM（Dynamic Random Access Memory）のメモリセルの構造を問う問題です。 DRAMは、コンデンサ（キャパシタ）に電荷を蓄えるかどうかで1ビットの情報を記憶します。 電荷は時間とともに失われるので、定期的に書き直すリフレッシュが必要です。 【選択肢別解説】 1：× コイルは電流による磁界でエネルギーを蓄える素子です。 DRAMのメモリセルでは情報の記憶に使われていません。 2：○ DRAMは、コンデンサに電荷がある状態とない状態を1と0に対応させて記憶します。 構造が単純で集積度を高めやすいので、主記憶に使われます。 3：× 抵抗は電流を制限する素子で、情報を保持する機能はありません。 DRAMの記憶素子ではありません。 4：× フリップフロップで情報を記憶するのはSRAM（Static RAM）です。 SRAMはリフレッシュが不要で高速なので、キャッシュメモリに使われます。 【ポイント】 DRAMは「コンデンサ・リフレッシュ必要・大容量で安価・主記憶」、SRAMは「フリップフロップ・リフレッシュ不要・高速で高価・キャッシュ」と対比して覚えます。