修了試験 2009-12実施分 基本情報技術者試験 問26

解説

正解はウ。 フラッシュメモリは不揮発性の半導体メモリで，電気的な信号によって記憶内容を全部または一部（ブロック単位）消去し，書き直すことができる。 紫外線消去はEPROM，キャッシュとしての利用やリフレッシュ動作はSRAM・DRAMの特徴である。