ホーム › 基本情報技術者試験 › 平成26年度 春期 › 問21平成26年度 春期 基本情報技術者試験 問21テクノロジ系テクノロジ系2014年☆ ブックマークフラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。紫外線で全内容の消去ができる。周期的にデータの再書込みが必要である。ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。購入状況を確認しています…正答4解説正解はエ。 フラッシュメモリは，ブロック(セクタ)単位で電気的に一括消去できる不揮発性メモリである。 アはSRAM，イは紫外線消去型のUV-EPROM，ウはリフレッシュが必要なDRAMの特徴である。← 問20問22 →まとめて解く平成26年度 春期を通しで解く（80問）→この回の他の問題平成26年度 春期 基本情報技術者試験 の全80問を見る →