ホーム › 基本情報技術者試験 › 平成23年度 秋期 › 問25平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 問25テクノロジ系テクノロジ系2011年☆ ブックマークフラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。紫外線で全内容の消去ができる。周期的にデータの再書込みが必要である。ブロック単位で電気的に消去できる。購入状況を確認しています…正答4解説正解はエ。 フラッシュメモリは電気的にデータの消去・書込みができる不揮発性メモリで,一括消去はブロック単位で行われる。 紫外線による消去はEPROM,周期的な再書込みが必要なのはDRAMの特徴である。← 問24問26 →まとめて解く平成23年度 秋期を通しで解く(80問)→この回の他の問題平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 の全80問を見る →