ホーム › 基本情報技術者試験 › 平成22年度 春期 › 問24平成22年度 春期 基本情報技術者試験 問24テクノロジ系テクノロジ系2010年☆ ブックマークフラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。1回だけ電気的に書込みができる。一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。書込み,消去とも電気的に行い,一括又はブロック単位で消去する。書込みは電気的に行い,消去は紫外線によって行う。購入状況を確認しています…正答3解説正解はウ。 フラッシュメモリは,書込みも消去も電気的に行い,消去は一括またはブロック単位でまとめて行う不揮発性メモリである。 紫外線消去はEPROM,リフレッシュ動作が必要なのはDRAMの特徴である。← 問23問25 →まとめて解く平成22年度 春期を通しで解く(80問)→この回の他の問題平成22年度 春期 基本情報技術者試験 の全80問を見る →