ホーム › 基本情報技術者試験 › 平成22年度 秋期 › 問26平成22年度 秋期 基本情報技術者試験 問26テクノロジ系テクノロジ系2010年☆ ブックマークフラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。書込み回数は無制限である。書込み時は回路基板から外して,専用のROMライタで書き込まなければならない。定期的にリフレッシュしないと,データが失われる。データ書換え時には,あらかじめ前のデータを消去してから書込みを行う。購入状況を確認しています…正答4解説正解はエ。 フラッシュメモリはブロック単位で消去してからでないと書込みができない特性を持ち,データ書換え時はあらかじめ既存データを消去してから新データを書き込む。← 問25問27 →まとめて解く平成22年度 秋期を通しで解く(80問)→この回の他の問題平成22年度 秋期 基本情報技術者試験 の全80問を見る →