正解を2つ選んでください。
正答3・4
解説
正答は「n型半導体に添加する不純物はドナーである」と「真性半導体は温度が高くなると抵抗率が低下する」。
Si(4価)に5価のAsを添加するとn型となり(p型は3価添加)、n型に加える不純物は電子を供給するドナーである。
真性半導体は熱励起で電子・正孔が同数生成されキャリアが増えるため、温度上昇とともに抵抗率は低下する。
真性半導体のキャリアは正孔が主ではなく電子と正孔が同数であり、不純物半導体は真性半導体より導電率が高い(低いは誤り)。
したがって正しいのはドナーの記述と温度依存性の記述である。