令和5年度下期 理論 第三種電気主任技術者試験 問22
問17及び問18は選択問題であり，問17又は問18のどちらかを選んで解答すること。 両方解答すると採点されません。 （選択問題） 問18 図1は，飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し，図中のv_i並びにv_oはそれぞれ，入力と出力の小信号交流電圧[V]を表す。 また，図2は，その増幅回路で使用するFETのゲート-ソース間電圧V_gs[V]に対するドレーン電流I_d[mA]の特性を示している。 抵抗R_G=1MΩ，R_D=5kΩ，R_L=2.5kΩ，直流電源電圧V_DD=20Vとするとき，次の(a)及び(b)の問に答えよ。 (b) 図2の特性曲線の点Pにおける接線の傾きを読むことで，FETの相互コンダクタンスがg_m=6mSであるとわかる。 この値を用いて，増幅回路の小信号交流等価回路をかくと図3となる。 ここで，コンデンサC_1，C_2，C_Sのインピーダンスが使用する周波数で十分に小さいときを考えており，FETの出力インピーダンスがR_D[kΩ]やR_L[kΩ]より十分大きいとしている。 （図3：小信号交流等価回路。v_iからR_G，従属電流源g_m v_i（電流i_d），R_D，R_Lが並列に接続され，出力v_oを取り出す構成） この増幅回路の電圧増幅度A_v=|v_o/v_i|の値として，最も近いものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
正答1