令和5年度下期 理論 第三種電気主任技術者試験 問21
問17及び問18は選択問題であり，問17又は問18のどちらかを選んで解答すること。 両方解答すると採点されません。 （選択問題） 問18 図1は，飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し，図中のv_i並びにv_oはそれぞれ，入力と出力の小信号交流電圧[V]を表す。 また，図2は，その増幅回路で使用するFETのゲート-ソース間電圧V_gs[V]に対するドレーン電流I_d[mA]の特性を示している。 抵抗R_G=1MΩ，R_D=5kΩ，R_L=2.5kΩ，直流電源電圧V_DD=20Vとするとき，次の(a)及び(b)の問に答えよ。 （図1：v_iがC_1経由でFETのゲートに入力され，R_G，R_S，C_S，R_D，C_2経由のR_L，直流電源V_DDからなる接合形FET増幅回路。出力はv_o） （図2：V_gs[V]に対するI_d[mA]の特性曲線。動作点PはV_gs=-1.8V，I_d=1.8mAの位置にあり，点Pでの接線の傾きΔI_d/ΔV_gs=6mS） (a) FETの動作点が図2の点Pとなる抵抗R_Sの値[kΩ]として，最も近いものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
正答4