ホーム › 応用情報技術者試験 › 令和5年度 春期 › 問11令和5年度 春期 応用情報技術者試験 問11テクノロジ系テクノロジ系2023年☆ ブックマークフラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として,適切なものはどれか。各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように,物理的な書込み位置を選択する。記憶するセルの電子の量に応じて,複数のビット情報を記録する。不良のブロックを検出し,交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。ブロック単位でデータを消去し,新しいデータを書き込む。購入状況を確認しています…正答1解説正解はア。 ウェアレベリングは,特定ブロックだけに書込みが集中して劣化が偏らないよう,物理的な書込み位置を分散させて全ブロックの書込み回数を均等化する技術である。 イは多値記録(MLC/TLC等),ウは不良ブロック管理,エは消去書込み単位の説明であり,ウェアレベリングとは異なる。← 問10問12 →まとめて解く令和5年度 春期を通しで解く(80問)→この回の他の問題令和5年度 春期 応用情報技術者試験 の全80問を見る →