平成30年度 春期 応用情報技術者試験 問10

解説

正解はエ。 NAND型フラッシュメモリは，書込み・読出しともにページと呼ばれる単位で行い，データの消去はページより大きいブロック単位でまとめて行う点が特徴である。 バイト単位でのランダムアクセスはできない。