ホーム › 応用情報技術者試験 › 平成28年度 春期 › 問21平成28年度 春期 応用情報技術者試験 問21テクノロジ系テクノロジ系2016年☆ ブックマークDRAMの説明として,適切なものはどれか。1バイト単位でデータの消去及び書込みが可能な不揮発性のメモリであり,電源遮断時もデータ保持が必要な用途に用いられる。不揮発性のメモリでNAND型又はNOR型があり,SSDに用いられる。メモリセルはフリップフロップで構成され,キャッシュメモリに用いられる。リフレッシュ動作が必要なメモリであり,PCの主記憶として用いられる。購入状況を確認しています…正答4解説正解はエ。 DRAMはコンデンサに電荷を蓄えて記憶するため定期的なリフレッシュ動作が必要で,安価・高集積なためPCの主記憶(メインメモリ)に使われる。 アはEEPROM,イはフラッシュメモリ,ウはSRAMの説明である。← 問20問22 →まとめて解く平成28年度 春期を通しで解く(80問)→この回の他の問題平成28年度 春期 応用情報技術者試験 の全80問を見る →