平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 問21

解説

正解はエ。 フラッシュメモリはブロック（セクタ）単位で電気的に一括消去でき，バイト単位の書換えはできない。 紫外線消去はEPROM，周期的再書込みが必要なのはDRAMの特徴である。