ホーム › 基本情報技術者試験 › 修了試験 2025-12-14実施分 › 問9修了試験 2025-12-14実施分 基本情報技術者試験 問9テクノロジ系テクノロジ系2025年☆ ブックマークメモリインタリーブの説明はどれか。CPUと磁気ディスク装置との間に半導体メモリによるデータバッファを設けて，磁気ディスクアクセスの高速化を図る。主記憶のデータの一部をキャッシュメモリにコピーすることによって，CPUと主記憶とのアクセス速度のギャップを埋め，メモリアクセスの高速化を図る。主記憶へのアクセスを高速化するために，アクセス要求，データの読み書き及び後処理が終わってから，次のメモリアクセスの処理に移る。主記憶を複数の独立したグループに分けて，CPUからのアクセス要求を並列に処理することによって，主記憶へのアクセスの高速化を図る。購入状況を確認しています…正答4解説正解はエ。 メモリインタリーブは主記憶を複数の独立したグループ(バンク)に分割し，CPUからのアクセス要求を並列に処理することで主記憶アクセスの高速化を図る方式である。← 問8問10 →まとめて解く修了試験 2025-12-14実施分を通しで解く（60問）→この回の他の問題修了試験 2025-12-14実施分 基本情報技術者試験 の全60問を見る →