修了試験 2025-07-27実施分 基本情報技術者試験 問16
フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
正答4
解説
正解はエ。 フラッシュメモリはブロック単位で一括して電気的にデータを消去し,再書込みができる不揮発性メモリである。 紫外線での一括消去はEPROMの特徴であり,再書込み不要な点もフラッシュメモリには当てはまらない。まとめて解く
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フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
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