修了試験 2015-07-26実施分 基本情報技術者試験 問21

解説

正解はエ。 フラッシュメモリはブロック単位で電気的にデータを消去し，再書込みできる不揮発性メモリである。 紫外線消去はEPROM，周期的な再書込みはDRAMのリフレッシュの特徴であり異なる。