ホーム › 基本情報技術者試験 › 修了試験 2010-06実施分 › 問27修了試験 2010-06実施分 基本情報技術者試験 問27テクノロジ系テクノロジ系2010年☆ ブックマークフラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。高速であり,キャッシュなどに用いられる。紫外線で全内容の消去ができる。周期的にデータの再書込みが必要である。ブロック単位で電気的に消去できる。購入状況を確認しています…正答4解説正解はエ。 フラッシュメモリはブロック単位で電気的にデータを消去・書換えできる不揮発性メモリである。 紫外線での消去はEPROM,周期的な再書込みが必要なのはDRAMの特徴。← 問26問28 →まとめて解く修了試験 2010-06実施分を通しで解く(80問)→この回の他の問題修了試験 2010-06実施分 基本情報技術者試験 の全80問を見る →