ホーム › 基本情報技術者試験 › 修了試験 2010-01実施分 › 問24修了試験 2010-01実施分 基本情報技術者試験 問24テクノロジ系テクノロジ系2010年☆ ブックマークフラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。ROMライタで書込みができ,書き込んだ内容を紫外線を用いて消去することが可能な不揮発性メモリである。記憶手段としてコンデンサを使用した,リフレッシュ動作を必要とする揮発性メモリである。消費電力が少なく,リフレッシュ動作が不要な揮発性メモリである。全ビット,又はブロック単位で電気的に書込み内容を消去できる不揮発性メモリである。購入状況を確認しています…正答4解説正解はエ。 フラッシュメモリは,ブロック単位や全ビット単位で電気的に内容を消去し書き換えられる不揮発性メモリである。 アはEPROM,イはDRAM,ウはSRAMの説明に当たる。← 問23問25 →まとめて解く修了試験 2010-01実施分を通しで解く(80問)→この回の他の問題修了試験 2010-01実施分 基本情報技術者試験 の全80問を見る →