平成30年度 春期 基本情報技術者試験 問22

解説

正解はエ。 フラッシュメモリはブロック（セクタ）単位で電気的にデータを一括消去し，その後書込みを行う不揮発性メモリである。 紫外線消去はEPROM，定期的な再書込みが必要なのはDRAMの特徴であり誤り。