第77回 診療放射線技師国家試験 問167

解説

IGBTはMOS FETの高入力インピーダンス(電圧駆動)とバイポーラトランジスタの低オン抵抗を併せ持つ素子で、スイッチング速度はバイポーラトランジスタより速い。 したがって「バイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い」は誤りで、これが正答となる。 ゲート電圧でコレクタ電流を制御でき、ゲート・エミッタ・コレクタの3端子を持つ。 MOS FETと比べて高耐圧・大電流域でオン抵抗(導通損失)が小さい。 MOS FETとバイポーラトランジスタを組み合わせた構造である点も正しい。