第71回 診療放射線技師国家試験 問177

解説

真性半導体（シリコンなど4価）に5価のヒ素（As）を微量添加すると、余った電子がキャリアとなりn形半導体になるため、p形になるという記述は誤りである。 p形半導体はホウ素など3価のアクセプタを添加して作る。 絶対零度では熱励起がなくキャリアが存在せず、真性半導体では自由電子と正孔の数が等しく、pn接合では拡散により電位障壁が形成され、n形半導体のFermi準位は伝導帯に近づく点はいずれも正しい。 したがって誤っているのはヒ素混入でp形となるである。