ホーム › 第三種電気主任技術者試験 › 令和6年度下期 理論 › 問11令和6年度下期 理論 第三種電気主任技術者試験 問11理論理論2025年☆ ブックマーク電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として,誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。接合形とMOS形に分類することができる。ドレーンとソースとの間の電流の通路には,n形とp形がある。MOS形はデプレション形とエンハンスメント形に分類できる。ゲート電圧で自由電子又は正孔の移動を制御できる。エンハンスメント形はゲート電圧に関係なくチャネルができる。購入状況を確認しています…正答5解説正解は(5)。 エンハンスメント形MOSFETはゲート電圧を加えることで初めてチャネルが形成される素子であり、ゲート電圧が零のときはチャネルは存在しない。 したがって「ゲート電圧に関係なくチャネルができる」という記述は誤りである。 これはデプレション形の特徴である。← 問10問12 →まとめて解く令和6年度下期 理論を通しで解く(22問)→この回の他の問題令和6年度下期 理論 第三種電気主任技術者試験 の全22問を見る →