ホーム › 第三種電気主任技術者試験 › 令和6年度上期 理論 › 問11令和6年度上期 理論 第三種電気主任技術者試験 問11理論理論2024年☆ ブックマークバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として,誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。バイポーラトランジスタは,消費電力がFETより大きい。バイポーラトランジスタは,静電気に対してFETより破壊されにくい。バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは,FETのそれよりも低い。バイポーラトランジスタは電圧制御素子,FETは電流制御素子といわれる。バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し,FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。購入状況を確認しています…正答4解説正解は(4)。 バイポーラトランジスタはベース電流で動作を制御する電流制御素子,FETはゲート電圧で制御する電圧制御素子であり,選択肢の説明は逆である。 他の記述は正しく,消費電力はバイポーラの方が大きく,静電気にはFETの方が破壊されやすく(ゲート絶縁膜が薄いため),入力インピーダンスはバイポーラの方が低く,コレクタ電流は電子・正孔の両方,ドレーン電流はどちらか一方のキャリアのみが関与する。← 問10問12 →まとめて解く令和6年度上期 理論を通しで解く(22問)→この回の他の問題令和6年度上期 理論 第三種電気主任技術者試験 の全22問を見る →