ホーム › 第三種電気主任技術者試験 › 令和5年度上期 機械 › 問10令和5年度上期 機械 第三種電気主任技術者試験 問10機械機械2023年☆ ブックマークパワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。 通常動作における両者の特性を比較した記述として，誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。IGBTは，オンのゲート電圧が与えられなくても逆電圧が印加されれば逆方向の電流が流れる。パワーMOSFETは電圧駆動形であり，ゲート・ソース間に正の電圧をかけることによりターンオンする。パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり，一般的にバイポーラ形のIGBTと比べてターンオン時間が短い一方，流せる電流は小さい。IGBTはキャリアの蓄積作用のためターンオフ時にテイル電流が流れ，パワーMOSFETと比べてオフ時間が長くなる。パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで，高耐圧化と高耐熱化が可能になる。購入状況を確認しています…正答1解説正解は(1)。 IGBTはパワーMOSFETのような内蔵の還流(ボディ)ダイオードを持たず，ゲートをオフのままでは逆方向電圧を印加しても逆電流は流れない(必要な場合は外付けダイオードを並列接続する)。 したがって『ゲート電圧なしでも逆電圧で逆方向電流が流れる』とする(1)が誤り。← 問9問11 →まとめて解く令和5年度上期 機械を通しで解く（22問）→この回の他の問題令和5年度上期 機械 第三種電気主任技術者試験 の全22問を見る →