令和4年度上期 理論 第三種電気主任技術者試験 問22
図1，図2及び図3は，トランジスタ増幅器のバイアス回路を示す。 次の(a)及び(b)の問に答えよ。 ただし，VCCは電源電圧，VBはベース電圧，IBはベース電流，ICはコレクタ電流，IEはエミッタ電流，R，RB，RC及びREは抵抗を示す。 (b) 次の文章a，b及びcは，それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化と電流ICとの関係について述べたものである。 ただし，hFEは直流電流増幅率を表す。 a 温度上昇によりhFEが増加するとICが増加し，バイアス安定度が悪いバイアス回路の図は(ア)である。 b hFEの変化によりICが増加しようとすると，VBはほぼ一定であるからVBEが減少するので，ICやIEの増加を妨げるように働く。 ICの変化の割合が比較的低く，バイアス安定度が良いものの，電力損失が大きいバイアス回路の図は(イ)である。 c hFEの変化によりICが増加しようとすると，RCの電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧VCEが低下する。 これによりRの電圧が減少してIBが減少するので，ICの増加が抑えられるバイアス回路の図は(ウ)である。 上記の記述中の空白箇所(ア)〜(ウ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
正答4