次の文章は，電界効果トランジスタ(FET)に関する記述である。
図は，nチャネル接合形FETの断面を示した模式図である。
ドレーン(D)電極に電圧VDSを加え，ソース(S)電極を接地すると，nチャネルの(ア)キャリヤが移動してドレーン電流IDが流れる。
ゲート(G)電極に逆方向電圧VGSを加えると，pn接合付近に空乏層が形成されてnチャネルの幅が(イ)し，ドレーン電流IDが(ウ)する。
このことからFETは(エ)制御形の素子である。
上記の記述中の空白箇所(ア)〜(エ)に当てはまる組合せとして，正しいものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
正答5
解説
正解は(5)。
nチャネル接合形FETのチャネルはn形半導体であり，電流を運ぶのは多数キャリヤである電子である((ア)多数)。
ゲートに逆方向電圧VGSを加えるとpn接合部の空乏層が広がり，nチャネルの実効的な幅は減少する((イ)減少)。
チャネル幅が狭まると電流経路が絞られるためドレーン電流IDは減少する((ウ)減少)。
ゲート-ソース間は逆バイアスのpn接合であるためゲート電流はほとんど流れず，電圧VGSの大きさでIDを制御する電圧制御形の素子である((エ)電圧)。
したがって(5)が正解。