ホーム › 第三種電気主任技術者試験 › 令和3年度 理論 › 問11令和3年度 理論 第三種電気主任技術者試験 問11理論理論2021年☆ ブックマーク半導体に関する記述として,正しいものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。ゲルマニウム(Ge)やインジウムリン(InP)は単元素の半導体であり,シリコン(Si)やガリウムヒ素(GaAs)は化合物半導体である。半導体内でキャリヤの濃度が一様でない場合,拡散電流の大きさはそのキャリヤの濃度勾配にほぼ比例する。真性半導体に不純物を加えるとキャリヤの濃度は変わるが,抵抗率は変化しない。真性半導体に光を当てたり熱を加えたりしても電子や正孔は発生しない。半導体に電界を加えると流れる電流はドリフト電流と呼ばれ,その大きさは電界の大きさに反比例する。購入状況を確認しています…正答2解説正解は(2)。 半導体内でキャリヤ濃度が不均一な場合,拡散電流の大きさはそのキャリヤの濃度勾配にほぼ比例する(拡散電流密度∝dn/dx)。 他の記述はいずれも誤り:Ge・Siは単元素半導体,InP・GaAsは化合物半導体であり選択肢とは逆。 不純物添加により抵抗率も変化する。 光や熱を加えれば電子正孔対は発生する。 ドリフト電流の大きさは電界に比例し,反比例ではない。← 問10問12 →まとめて解く令和3年度 理論を通しで解く(22問)→この回の他の問題令和3年度 理論 第三種電気主任技術者試験 の全22問を見る →