パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。
両者を比較した記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
正答2
解説
正解は(2)。
パワーMOSFETは多数キャリヤ（ユニポーラ）デバイスであり，ゲート・ソース間電圧で駆動する電圧駆動形である。
バイポーラデバイスのような少数キャリヤ蓄積効果を持たないため，むしろスイッチング速度が速くスイッチング損失は小さい。
したがって「電流駆動形でキャリア蓄積効果によりスイッチング損失が大きい」とする記述は誤り。
IGBTの電圧駆動特性やバイポーラ・MOSFET複合構造，SiC-MOSFETの特徴に関する他の記述は正しい。