ホーム › 第三種電気主任技術者試験 › 平成30年度 理論 › 問11平成30年度 理論 第三種電気主任技術者試験 問11理論理論2018年☆ ブックマーク半導体素子に関する記述として,正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。pn接合ダイオードは,それに順電圧を加えると電子が素子中をアノードからカソードへ移動する2端子素子である。LEDは,pn接合領域に逆電圧を加えたときに発光する素子である。MOSFETは,ゲートに加える電圧によってドレーン電流を制御できる電圧制御形の素子である。可変容量ダイオード(バリキャップ)は,加えた逆電圧の値が大きくなるとその静電容量も大きくなる2端子素子である。サイリスタは,p形半導体とn形半導体の4層構造からなる4端子素子である。購入状況を確認しています…正答3解説正解は(3)。 MOSFETはゲート電圧でドレーン電流を制御する電圧制御形素子であり正しい。 (1)は順電圧時に電子はカソード→アノードへ移動するため誤り。 (2)LEDは順電圧で発光するため誤り。 (4)バリキャップは逆電圧が大きくなるほど空乏層が広がり静電容量は減少するため誤り。 (5)サイリスタは4層構造だが端子はアノード・カソード・ゲートの3端子であり誤り。← 問10問12 →まとめて解く平成30年度 理論を通しで解く(22問)→この回の他の問題平成30年度 理論 第三種電気主任技術者試験 の全22問を見る →