ホーム › 第三種電気主任技術者試験 › 平成28年度 理論 › 問11平成28年度 理論 第三種電気主任技術者試験 問11理論理論2016年☆ ブックマーク半導体に関する記述として,誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。極めて高い純度に精製されたシリコン(Si)の真性半導体に,価電子の数が3個の原子,例えばホウ素(B)を加えるとp形半導体になる。真性半導体に外部から熱を与えると,その抵抗率は温度の上昇とともに増加する。n形半導体のキャリアは正孔より自由電子の方が多い。不純物半導体の導電率は金属よりも小さいが,真性半導体よりも大きい。真性半導体に外部から熱や光などのエネルギーを加えると電流が流れ,その向きは正孔の移動する向きと同じである。購入状況を確認しています…正答2解説正解は(2)。 (1)価電子3個のホウ素添加でp形になるのは正しい。 真性半導体は温度上昇により熱励起でキャリアが増加し抵抗率はむしろ低下するため,「増加する」とする(2)の記述が誤り。 (3)n形は多数キャリアが自由電子で正しい。 (4)不純物半導体の導電率は金属より小さく真性半導体より大きいのは正しい。 (5)電流の向きは正孔の移動方向と一致するのは正しい。← 問10問12 →まとめて解く平成28年度 理論を通しで解く(22問)→この回の他の問題平成28年度 理論 第三種電気主任技術者試験 の全22問を見る →